رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPI057N08N3 G
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPI057N08N3 G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 80A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
المخزون:
12847383
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPI057N08N3 G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
80A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 90µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4750 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
150W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO262-3
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
رقم المنتج الأساسي
IPI057N
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
SP000680662
IPI057N08N3G
IPI057N08N3 G-DG
SP000395182
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQB5N60CTM-WS
MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
NVMFS5C410NLT1G
MOSFET N-CH 40V 48A/315A 5DFN
NTD4810NHT4G
MOSFET N-CH 30V 9A/54A DPAK
